配资公司行情英特尔先进封装蓝图：单封装整合16颗计算芯片与24颗HBM5高带宽内存

英特尔代工业务近日发布一段展示先进封装技术的短片配资公司行情，提出通过Foveros 3D与EMIB-T互连，将芯粒规模扩展到传统光刻视场面积（约830平方毫米）12倍的宏大构想。根据介绍，这一方案可在单一封装内容纳多达16颗计算芯片，并搭配24颗HBM5高带宽内存模块，面向未来超大规模算力需求。

在该设计中，基础芯片（base die）采用18A-PT制程制造，并引入背面供电（backside power delivery）以提升逻辑密度与可靠性，同时在其上集成类似“Clearwater Forest”架构的SRAM结构。这些基础芯片为上层计算芯粒提供“地基”，而计算芯粒将使用更先进的14A或14A-E节点打造，具备第二代RibbonFET晶体管以及PowerDirect等新一代供电技术。

Foveros Direct 3D互连通过超细间距混合键合实现垂直堆叠，而EMIB-T则在封装内部采用穿硅通孔（TSV），在多个芯粒间提供更高带宽的互联能力。这种组合不仅突破了单一光刻视场的尺寸限制，还被规划为同时兼容HBM4、HBM5以及未来版本的HBM高带宽内存标准，以满足AI加速、HPC等领域对带宽和容量不断提升的需求。

随着先进封装技术的演进，英特尔还描绘了功耗高达5000 W的GPU设计蓝图，并计划通过集成式电压调节器（IVR）以及Foveros-B等封装方案，在2027年前后将此类超高功耗GPU推向现实。公司此前已经为现已停产的“Ponte Vecchio”加速卡打造过复杂封装形态，而即将登场的“Jaguar Shores”AI加速器也被视为这一技术路线的延续与升级。

为支撑上述路线，英特尔正持续扩充封装产能，例如其在马来西亚建设的Project Pelican封装厂已投产EMIB与Foveros封装能力，以服务自家与外部客户。随着更多芯片设计公司开始考虑采用英特尔的14A工艺与EMIB封装方案，英特尔在高端封装领域正被视为台积电CoWoS体系的有力竞争者之一。

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